Ardışık Düşük Doz -Işınlarının c-Si Güneş Hücresi Üzerine Etkisinin İncelenmesi

Çalışmada, ardışık düşük doz gama insert ignore into journalissuearticles values(); ışınlarının mono-kristal Silisyum insert ignore into journalissuearticles values(c-Si); güneş hücresi üzerine etkisi incelendi. ışını kaynağı olarak 60Co kullanılmıştır. c-Si güneş hücresinin performansı, radyasyon öncesi ve sonrası karanlık ve AM1.5G ışık koşullarında alınan akım-voltaj insert ignore into journalissuearticles values(I-V);, dışsal kuantum verimlilik insert ignore into journalissuearticles values(EQE);, kapasitans-voltaj insert ignore into journalissuearticles values(C-V); ve iletkenlik-voltaj insert ignore into journalissuearticles values(G/-V); ölçümleri ile belirlenmiştir. Deneysel sonuçlar, radyasyona maruz kaldıktan sonra hücrelerin idealite faktörlerinin arttığını göstermektedir. Doz miktarı arttıkça kısa devre akımı insert ignore into journalissuearticles values(Isc); ve verim insert ignore into journalissuearticles values(); değerleri azalırken, açık devre voltajı insert ignore into journalissuearticles values(Voc); ve doluluk faktörü insert ignore into journalissuearticles values(FF); değerleri ise yaklaşık sabit kalmaktadır. Dışsal kuantum verimlilik insert ignore into journalissuearticles values(EQE); ölçümleri, güneş hücresinde oluşan hasarın taban katmanında oluştuğu gösterirken, hücrede oluşan bu hasarın azınlık yük taşıyıcısı yarı ömründe oluşan azalma ile ilişkilendirilmektedir. Ayrıca, aygıt performansındaki değişim C-V ve G/-V ölçümleri ile de doğrulanmıştır. Deneysel sonuçlar, radyasyon öncesi ve sonrası karşılaştırılarak tartışılmıştır.