Düşük Frekanslarda Ag/GO- NiO/p-Si/Al Yapısının Frekans ve Voltaja Bağlı Özellikleri

Authors : Halil Özerli

Pages : 2034-2045

Doi:10.47495/okufbed.1219984

View : 49 | Download : 68

Publication Date : 2023-12-04

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, sol-jel yöntemi ile p-tipi silisyum üzerinde NiO katkılı GO ince film kaplanmıştır. Ag/GO-NiO/p-Si/Al Schottky diyodunun dielektrik özellikleri oda sıcaklığında ve karanlıkta, 10 kHz-50 kHz-100 kHz düşük frekans aralığında iletkenlik-voltaj (G/ω-V)ölçümleri ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümlerinden yararlanılarak araştırıldı.G/ω-V ölçümleri ve C-V ölçümlerinden elde edilen deneysel sonuçlardan, Ag/ GO-NiO/p-Si/Al yapısının seri dirençleri (Rs) ve arayüzey durum yoğunlukları (Nss) hesaplanmıştır. Artan frekansla Nss ve Rs değerlerinin azaldığı görülmüştür. Çıkan sonuçlara göre elde edilen Ag/GO-NiO/p-Si/Al yapısının diyot özelliği gösterdiği görülmüştür. Çıkan sonuçlar göz önüne alınarak Ag/GO-NiO/p-Si/Al yapısının dielektrik parametreleri; dielektrik sabiti (ε\'), dielektrik kaybı (ε\'\'), kayıp tanjantı (tanδ) ve AC elektrik iletkenliği (σac) hesaplanmıştır. Sonuçlara göre ε\', ε\'\',tanδ ve σac değerleri düşük frekanslarda artan frekansla azalmıştır. Elde edilen bulgular, ε\', ε\'\', tanδ ve σac\'nin frekansa bağlı olduğunu güçlü bir şekilde göstermiştir. Elde edilen sonuçların tamamı literatür çalışmalarıyla uyum içinde olduğu görülmüştür.
Keywords : Schottky diyot, GO NiO, Arayüzey tabakası

ORIGINAL ARTICLE URL