ÇALIŞMA GERİLİMİ (KIRILMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMİŞ ANAHTAR DEVRESİNİN E SINIFI GÜÇ YÜKSELTEÇLERİNE UYGULANMASI

E sınıfı güç yükselteci, anahtar olarak çalışan bir transistör insert ignore into journalissuearticles values(ya da FET); ve rezonans devresinden oluşmaktadır.Bu yükselteçlerde güç, anahtar olarak çalışan transistörün akım kapasitesine ve çalışma gerilimine bağımlıdır. Transistörün dayanma gerilimi, fiziki yapısına bağlı olduğundan, yükseltecin gücünü arttırmak için transistörün dayanabileceği maksimum akım sınırına kadar çıkılmaktadır. Akımın arttırılışı ise, rezonans devresinden dolayı ters indüksiyonun artmasına neden olduğundan, transistörü zorlayan ters gerilim problem oluşturmaktadır. Bu çalışmada, dayanma gerilimi arttırılmış transistör bağlantısının E sınıfı güç yükselteçlerine uygulanması gerçekleştirilmiştir. Bu sayede, transistörü zorlayan ters gerilim problem olmaktan çıkarıldığı gibi, yükseltecin besleme gerilimi iki katına çıkarılarak yükselteç gücü ve verimi arttırılmıştır.