hBN-SiC KOMPOZİTLERDE SICAKLIĞIN SiC TANE BOYUNUNA ETKİSİ

Authors : Zuhal YILMAZ, Nuran AY

Pages : 695-702

Doi:10.16984/saufenbilder.348993

View : 19 | Download : 13

Publication Date : 2018-04-01

Article Type : Research Paper

Abstract :  Bu çalışmada hekzagonal bor nitrür- silisyum karbür insert ignore into journalissuearticles values(hBN-SiC); kompozit sentezinde sıcaklığın SiC tane boyutu üzerine etkisi araştırılmıştır.  Numunelerin SPS ile 1700 o C, 1800 o C, 1900 o C ve 2000 o C’de farklı sıcaklıklarda 50MPa basınç altında 15dak sinterleme işlemi gerçekleştirilmiştir. Sinterleme sıcaklığının SiC tane boyutu üzerine etkisinin belirlenmesi için İmageJ programı ile tane boyut ölçümleri gerçekleştirilerek normal dağılım fonksiyonu ile tane boyut dağılımları tespit edilmiştir. 1700 o C’den 1900 o C’ye sıcaklık artırıldığında h-BN miktarında %0,9’luk bir artış gözlenmiştir ve 2000 o C’de ise değişmemiştir. SiC ortalama tane boyutu 1700 o C’den 2000 o C’ye sıcaklık artırıldığında 1,09µm’den 1,96µm’ye artmıştır. Tane boyut dağılımlarının standart sapma değerleri ise 1700 o C’de 0,445 iken 2000 o C’de 0,812 değerine arttığı gözlenmiştir. Sıcaklığa bağlı olarak tane boyut dağılımı artmaktadır. hBN fazının güçlü kovalent bağları ve plaka şeklinde yapıya sahip olmasından dolayı hBN’nin zayıf sinterlenebilitesi nedeniyle SiC tane büyümesini yavaşlattığı söylenebilir.
Keywords : hBN, SiC, kompozit, tane boyutu, özellik