Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi

Authors : E KAYAHAN

Pages : 0-0

Doi:10.19113/sdufbed.83699

View : 20 | Download : 11

Publication Date : 2005-03-26

Article Type : Other Papers

Abstract :Bıı çalışmada farklı anodizasyon akım yoğımluklarmda üretilmiş Ut`ızenckli silisyuınun insert ignore into journalissuearticles values(PS); havada sürekli UV ışığı insert ignore into journalissuearticles values(254 nm); aydınlanması altinda zamana bağlı fotolüminesans insert ignore into journalissuearticles values(PL); spektrum bozunumu ineelenmiştir Sürekli UV aydınlatılmasında yuksek akım yoğun lıığunda üretilen numunelerin insert ignore into journalissuearticles values(10 ve 30 mA. cın ); Pl spektrum siddeti azaldığı ve spektrum tepesinin mavi kaydığı gözlenmiştir Ay.rıca bu numuneler için PL şiddet bozunumunun iki zaman sabitli exponansiyel bii vaklaşıma uy duğu ve 3 mA. cm 2akım yoğunluğunda üretilen numune için ise PL şiddet bozunumunun sabit bir fonksionla ifade edilebileceği tespit edilmiştir Artan aktın yoğunluğu ile PL spektrum siddeti artar ve spektrum tepe noktası 12 nin civarında duşıık enerji yönünde yer değiştirir UV ışığı insert ignore into journalissuearticles values(366 11111); altında bekletilen numunelerin lTlR spektruııılarındaki Si—Hx bağlarına ait soğurma pilderinde insert ignore into journalissuearticles values(2060— 2150 c111 ); azalma. Si— O Si gerilme insert ignore into journalissuearticles values(1000 1200 cm );ve Si» l-l defonnasyon bağlarına insert ignore into journalissuearticles values(830 cm`); ait soğurma pilderinde artma gözlenmiştir. PL bozunumundu yüzey kimyasal yapısı etkili rol oynamaktadır
Keywords : Gözenekli silisyum FHR fotolttminesans PL bozunumu