Gömülmüs Atom Potansiyeli Kullanarak CuNi Alasımının Moleküler Dinamik Simulasyonu

Authors : Eşe AKPINAR, Seyfettin ÇAKMAK

Pages : 116-122

Doi:10.19113/sdufbed.99811

View : 42 | Download : 11

Publication Date : 2009-04-09

Article Type : Other Papers

Abstract :Bu çalısmada, CuNi alasımının moleküler dinamik simulasyonu, Sutton-Chen insert ignore into journalissuearticles values(SC); potansiyeli kullanılarak incelendi. Bu potansiyel Cu, Ni ve CuNi in deneysel bilgilerinin fonksiyon parametrelerine fit edilmesiyle elde edildi. CuNi alasımının kristalizasyon sürecini atomik olarak tanımlamak için, gömülmüs atom yöntemini esas alan sabit basınç, sabit sıcaklık insert ignore into journalissuearticles values(NPT); moleküler dinamik simulasyonu uygulandı. Sıvı fazda iken 4x1011 K/s sogutma hızında sogutulan CuNi alasımının yapısı ve kristallesme olusum yetenegi radyal dagılım fonksiyonuyla incelendi. Simulasyon, üç temel dogrultu boyunca periyodik sınır sartlarını saglayan kübik bir hücrede 1024 atom içeren sistemle gerçeklestirildi. Hareket denklemleri Verlet algoritması kullanılarak sayısal olarak çözüldü. Sogutma deneyi için sıvı hal baslangıcı, katının sıvı sıcaklıgına ısıtılmasıyla elde edildi. Sistem 1300-1550K sıvılasma bölgesi üzerindeki sıcaklıkta eritildi ve homojenize edildi ve hızla oda sıcaklıgına sogutuldu.
Keywords : Moleküler Dinamik Simulasyon, Gömülmüş Atom Yöntemi, Sutton Chen Potansiyeli, CuNi Alaşımı

ORIGINAL ARTICLE URL