The Improvement Photoresponsivity of ZnO Based Photodiode with Indium Doping

Home Page
About
Submit A Journal
Submit A Conference
Submit Paper/Book
- Submit a Preprint
- Submit a Book
Contact

Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
Volume:24 Issue:1
The Improvement Photoresponsivity of ZnO Based Photodiode with Indium Doping

The Improvement Photoresponsivity of ZnO Based Photodiode with Indium Doping

Pages : 178-187

View : 27 | Download : 11

Publication Date : 2020-04-20

Article Type : Research Paper

Abstract :Katkısız ZnO ve İndiyum insert ignore into journalissuearticles values(In); katkılı ZnO ince filmler sol-gel spin kaplama yöntemi ile p-Si substratı üzerinde büyütülelerek, heteroeklem fotodiyotlar üretilmiştir. Filmlerin kristal yapı analizleri, amorf yapıya sahip olduklarını göstermektedir. Diyotların elektriksel karakterizasyonu geleneksel I-V ve C-G-V tekniği ile gerçekleştirilmiştir. Minimum idealite faktörü ve minimum seri direnç 3.97 ve 7.2 kΩ olarak % 5 In katkılı ZnO/p-Si diyotundan elde edilmiştir. Fotogeçiş ölçümleri, fotodiyotların görünür ışığa hızlı tepki verdiğini ve iyi bir tekrarlanabilirlik anahtarlama döngüsüne sahip olduğunu göstermektedir. Benzer şekilde, 3.15x103`lük en yüksek ışığa duyarlılık ve 2.02 A/W`nin duyarlılığı % 5 Indiyum katkılı ZnO/p-Si fotodiyotundan elde edilmiştir. Bu çalışma, Indiyum katkısının ZnO bazlı fotodiyotların elektriksel ve optoelektrik performanslarını geliştirdiğini göstermektedir.
Keywords : Sol jel, Fotodiyot, İndiyum, ZnO

ORIGINAL ARTICLE URL

* There may have been changes in the journal, article,conference, book, preprint etc. informations. Therefore, it would be appropriate to follow the information on the official page of the source. The information here is shared for informational purposes. IAD is not responsible for incorrect or missing information.