The First-Principles Study On The Investigation of Magnetic and Electronic Properties of Ga4X3Mn (X = P and As)

Authors : Aytaç ERKİŞİ

Pages : 371-381

Doi:10.29233/sdufeffd.1127249

View : 15 | Download : 9

Publication Date : 2022-11-25

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, basit kübik yapıya sahip ve P4 ̅3m uzay grubu ile 215 uzay numarasına uyan Ga4X3Mn insert ignore into journalissuearticles values(X=P and As); sistemlerinin manyetik doğası ve ayrıca elektronik karakteristiği rapor edilmiştir. Ab initio simülasyon yöntemleri çerçevesinde gerçekleştirilen tüm hesaplamalar, Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi insert ignore into journalissuearticles values(YFT); kapsamında meta-genelleştirilmiş gradient insert ignore into journalissuearticles values(META-GGA); yaklaşımı kullanılarak yapılmıştır. Dört farklı tip manyetik düzen için enerji-hacim eğrileri ve hesaplanan kohesif ve oluşum enerjileri göz önüne alındığında, bu bileşiklerin A-tipi antiferromanyetik yapıya sahip oldukları tespit edilmiştir. Ayrıca ilgili sistemlerin A-tipi antiferromanyetik düzende incelenen elektronik davranışları, elektronik bant yapılarında küçük bant boşluklarına sahip olmaları nedeniyle yarı-iletken olduklarını göstermektedir insert ignore into journalissuearticles values(Ga4P3Mn için Eb = 0.23 eV ve Ga4As3Mn için Eb = 0.16 eV);.
Keywords : Yarı iletken, Antiferromanyetizma, ab initio hesaplamaları, Youğunluk fonksiyonel teorisi