GASE:GE/TE VE GASE:GE/AG SCHOTTKY EKLEMLERİNİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI

Authors : Hüseyin ERTAP, Mevlüt KARABULUT

Pages : 43-55

View : 15 | Download : 7

Publication Date : 2018-07-25

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, germanyum katkılı Galyum Selenit insert ignore into journalissuearticles values(GaSe); tek kristallerinin elektriksel özellikleri araştırıldı. Germanyum katkılı GaSe tek kristalleri geleneksel Bridgman metodu ile büyütüldü. Schottky eklemleri GaSe:Ge yüzeyleri üzerine Te ve Ag elementleri eritilerek elde edildi. Elektrik ölçümleri için indiyum kontaklar yapıldı. Schottky eklemlerinin karakteristik özellikleri elektrik alan ve sıcaklığın fonksiyonuna bağlı olarak araştırıldı. Elde edilen Schottky eklemlerinde düz yöndeki akımın ters yöndeki akıma oranının uygulanan elektrik alan ve ışıkla uyarılmaya bağlı olarak değiştiği gözlemlendi. Schottky eklemleri asimetrik akım-gerilim insert ignore into journalissuearticles values(I-V); karakteristiği gösterdi. In/GaSe:Ge/Ag/In Schottky ekleminin ışık duyarlılığının In/GaSe:Ge/Te/In Schottky ekleminden daha yüksek olduğu bulundu. In/GaSe:Ge/Te/In ve In/GaSe:Ge/Ag/In Schottky eklemlerinin bariyer yükseklikleri sırasıyla 52.92 meV and 41.82 meV olarak hesaplandı. Her iki Schottky ekleminin de bariyer yüksekliği uygulanan elektrik alanla azaldı. Schottky eklemlerinin bariyer yükseklikleri uygulanan elektrik alanın karekökü ile orantılı olarak   gibi küçüldüğü ve akımın uygulanan elektrik alanın karekökü ile gibi üstel olarak değiştiği bulundu. Bu sonuçların Frenkel termoelektrik alan teorisi ile uyumlu olduğu görüldü.
Keywords : Bariyer yüksekliği, galyum selenit, schottky eklemleri