THERMOELECTRIC CHARACTERIZATION OF N-TYPE (Bi2Te3)Se3 SEMICONDUCTORS IN A TEMPERATURE RANGE 11-373 K

Authors : Raşit AHISKA, Eyüp GÜLER, Selim ACAR, Mehmet KASAP

Pages : 481-487

View : 19 | Download : 10

Publication Date : 2010-08-12

Article Type : Other Papers

Abstract :İki adet n-tipi insert ignore into journalissuearticles values(Bi2Te3);Se3 yarıiletkeni Bi2Te3 ve Bi2Se3 bileşimlerinden, bölge eritme ve presleme yöntemi ile büyütüldü. Bu yarıiletken numunelerin termoelektrik özellikleri; elektriksel iletkenlik ve Seebeck kat sayısı 11-373 K sıcaklık aralığında Harman tekniği kullanılarak ölçüldü. Oda sıcaklığında, Z parametresi bölge eritme yöntemi ile büyütülen numune için 4,1x10-3 K-1presleme yöntemi ile büyütülen yarıiletken numune için 2,4x10-3 K-1 olarak hesaplandı
Keywords : Bölge eritme ve presleme yöntemi, Harman tekniği, Termoelektrik özellikler