Terbiyum (Tb) Katkılı Arayüzeyin Al/p-Si Schotkky Diyotların Elektrik Karakteristikleri Üzerine Etkisi

Authors : Ömer SEVGİLİ

Pages : 219-228

Doi:10.29132/ijpas.854046

View : 16 | Download : 8

Publication Date : 2021-07-20

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada Terbiyum katkılı Seryum Magnezyum Alüminat, metal ve yarıiletken kristal arasına bir tabaka olarak döner-kaplama yöntemi kullanılarak oluşturuldu. Arayüzeye sahip Schottky Diyotun ve arayüzeysiz Schottky Diyotun elektiksel özellikleri insert ignore into journalissuearticles values(±2 V); aralığında Akım-Gerilim ölçümleri kullanılarak birbirleriyle karşılaştırıldı. Bu diyotların idealite faktörü, doyma akımı, sıfır beslem engel yüksekliği ve seri direnç değerleri hem Termiyonik Emisyon metodu hem de Norde Fonksiyonu kullanılarak hesaplandı. Deneysel sonuçlar Terbiyum katkılı Seryum Magnezyum Alüminat arayüzeyine sahip diyotun arayüzeysiz diyot ile karşılaştırıldığında seri direnç, idealite faktörü ve arayüzey durumları bakımından iyileştirdiğini gösterdi. Ayrıca her iki diyot içinde doğru beslemdeki insert ignore into journalissuearticles values(V>0); akım iletim mekanizması incelendi ve bu bölgede iki diyotunda eğimleri birbirlerinden farklı üç lineer bölgeye sahip olduğu görüldü. Dahası arayüzey durumlarının enerji dağılımı da incelendi ve kullanılan arayüzey tabakasının varlığından dolayı arayüzeysiz Schottky Diyotun arayüzey durumlarına göre azalmasını sağladığı görüldü.
Keywords : Arayüzey tabakasının etkisi, Elektrik karakteristik, Terbiyum, Seryum magnezyum alüminat