Sığ Safsızlık Bağlanma Enerjisinin Hidrostatik Basınç Altında In Konsantrasyonuna Bağlılığı

Authors : Pınar BASER, İsmail ALTUNTAS, Sezai ELAGOZ

Pages : 171-180

Doi:10.7240/mufbed.28782

View : 15 | Download : 7

Publication Date : 2012-04-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Çinko sülfür InxGa1-xN/GaN silindirik kuantum telindeki insert ignore into journalissuearticles values(CQWWs); hidrojenik safsızlık taban durum bağlanma enerjisi, hidrostatik basınç altında In konsantrasyonu ve tel yarıçapının fonksiyonu olarak etkin kütle yaklaşımı ve varyasyonel teknikler kullanılarak incelendi. Uygulanan hidrostatik basınç etkisi, yasak enerji aralığı, tel yarıçapı ve etkin kütlenin basınca bağlılığı kullanılarak hesaplamalara katıldı. Hesaplamaların bağlanma enerjisi Eb’ nin merkezdeki bir safsızlık için hem hidrostatik basınç hem de In konsantrasyonu arttırıldığında, bu parametrelere bağlı olarak değiştiğini gösterdi. Çok büyük tel yarıçaplarında bağlanma enerjisinin basınçtan etkilenmediği, Ancak parçacıkların engellerle etkileşmeye başladığı tel yarıçaplarında bağlanma enerjisi bütün x değerleri için hidrostatik basınca bağlı olduğu gözlendi. Ayrıca, In konsantrasyonunun ve hidrostatik basıncın bağlanma enerjisine etkisi karşılaştırıldığında In konsantrasyonundan kaynaklanan etkinin daha güçlü olduğu bulundu
Keywords : Kuantum teli, Bağlanma enerjisi, Hidrostatik basınç, In konsantrasyonu