Излучательная Аннигилляция Электронных Возбуждений В Кристаллах RbI

Authors : каныбек ОСМОНАЛИЕВ

Pages : 85-93

View : 31 | Download : 13

Publication Date : 2001-01-01

Article Type : Other Papers

Abstract :Проведены исследования низкотемпературной люминесценции различных по происхождению кристаллов RbI. Рекомбинационное создание экситонов при 4,2 К приводит к их излучательному распаду с появлением полос собственных свечений 3,92 и 2,26 эВ, имеющих σ- и π- природу. Создание высокоподвижных свободных экситонов в RbI недостаточно высокой чистоты приводит к появлению характерных полос излучения 3,86 и 3,15 эВ, имеющих примесный характер.
Keywords :

ORIGINAL ARTICLE URL