Çift Bantlı RF Enerji Hasadı İçin Toplu Eleman Devre Yapıları

Authors : Filiz SARI

Pages : 670-674

Doi:10.31590/ejosat.1010030

View : 19 | Download : 34

Publication Date : 2021-11-30

Article Type : Research Paper

Abstract :RF enerji hasadı, ortamda bulunan elektromagnetik sinyalleri kullanarak DC enerji üretmektedir. Günümüzde elde edilen enerjiyi arttırmak amacıyla çoklu frekansta RF enerji hasadı çalışmaları yapılmaktadır. Bu çalışmada, çift bantlı RF enerji hasadı için tek empedans uyumlama yapısı ve her bir frekans için ayrı ayrı L tipi empedans uyumlama yapısı çıkış voltaj ve verimleri göz önüne alınarak karşılaştırılmıştır. Simülasyonu yapılan frekans bantları ortamda bulunma yoğunluğu yüksek olan GSM 900 ve GSM 1800 bantlarıdır, bu nedenle 900 MHz ve 1800 MHz frekansları kullanılmıştır ve gerilim çoklayıcı olarak iki kademe Dickson gerilim çoklayıcı seçilmiştir. Çoklu bant empedans dönüştürücü için indüktör ve kapasitörlerden oluşan toplu eleman devre yapıları seçilmiştir. Böylece empedans uyumlama devresi çift bantta yükten kaynağa olan yansımaları bastırmıştır ve maksimum güç transferi sağlanmıştır. Bu yapı için maksimum verimler 900 MHz, 1800 MHz ve çift bant (900&1800 MHz) için sırasıyla 41.947 %, 29.259 %, ve 74.427 % olarak bulunmuştur.
Keywords : RF enerji hasadı, GSM bandı, Dickson gerilim çoklayıcı, empedans uyumlama, toplu eleman devreler