545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi

Authors : Mahmut GÖZEL, Ömer KASAR, Mesud KAHRİMAN

Pages : 24-30

Doi:10.31202/ecjse.446070

View : 22 | Download : 7

Publication Date : 2019-01-31

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada RF enerji hasatlama teknolojilerinde kullanılan doğrultucu topolojilerinden Dickson gerilim çoklayıcı devresi tasarlanmıştır.  Bu tasarımların farklı frekans ve yük değerlerinde verim analizi incelenmiştir.  Tek katmanlı ve çift katmanlı doğrultucu devresinin tasarımı ve simülasyonları için Advanced Design System insert ignore into journalissuearticles values(ADS); kullanılmıştır. Tasarım mikroşerit hatlar kullanılarak yapılmıştır. Doğrultucu katmanında HSMS-285C Schottky diyodu kullanılmıştır. Tek ve iki katmanlı Dickson gerilim çoklayıcı ile giriş gücü -10 dBm ile 20 dBm arasında ayarlanarak beş farklı frekans insert ignore into journalissuearticles values(545MHz, 900MHz, 1800MHz, 2.45GHz ve 5.8GHz); değerinde doğrultucu verimi, çıkış gerilimleri ve devrenin sürüldüğü yük değerleri incelenmiştir. Tek katmanlı doğrultucuda, 545MHz’de %36, iki katmanlı devrede ise %32 verim gözlenmiştir.
Keywords : Radyo Frekansı ile Enerji Hasatlama, Doğrultucu Topolojileri, Güç Dönüştürme Verimi

ORIGINAL ARTICLE URL