- Balıkesir Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
- Volume:8 Issue:1
- In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik
In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik
Authors : Hüseyin SARI, Harry H WİEDER
Pages : 38-45
View : 15 | Download : 11
Publication Date : 2006-06-01
Article Type : Research Paper
Abstract :Inx 1-xAs bileşik yarıiletken malzemelerde kalıcı fotoiletkenlik etki indiyum komposizyonuna bağlı olarak incelendi. InxAl1-xAs bileşiği (0.10 ≤ x ≤ 0.34 ), daha düşük enerji aralığına sahip olan InyGa1-yAs ile birlikte heteroyapı oluşturmaya elverişli olacak şekilde yarıyalıtkan GaAs alttaşı üzerinde molekül demetli epitaksi (MBE) yöntemi kullanılarak büyütüldü ve InxAl1-xAs katmanı büyütme sırasında silikon ile düzlemsel olarak katkılandı. Alttaş ile film arasında oluşan örgü uyuşmazlığı, basamak şeklinde tampon ara filmler büyütülerek giderildi. Kalıcı fotoiletkenlik etki, InxAl1-xAs/InyGa1-yAs arayüzeyde oluşan iki boyutlu elektron gaz yoğunluğu sıcaklığın fonksiyonu ve optik uyarılmaya bağlı olarak Hall yöntemi ile ölçüldü. Kritik sıcaklık TC=200 ± 10 K olarak bulundu. İncelenen örneklerin hepsinde fotoiletkenlik gözlendi ve fotoiletkenliğin en büyük değeri In0.15Al0.85As bileşiğinde ölçüldüKeywords : DX merkezleri, bileşik yarıiletkenler, InAlAs, kalıcı fotoiletkenlik, MODFET