BiTeI Kristalinde Spin-Yörünge Yarılmasının Gerinim ile Değişimi

Authors : Sümeyra GÜLER KILIÇ, Çetin KILIÇ

Pages : 19-25

Doi:10.17798/bitlisfen.458811

View : 14 | Download : 12

Publication Date : 2019-03-12

Article Type : Research Paper

Abstract :BiTeI kristalinin elektronik bant yapısında, güçlü spin-yörünge etkileşmesi Rashba tipi spin ayrışmasına yol açmaktadır. Bu nedenle, dar bant aralıklı bir yarıiletken olan BiTeI potansiyel bir spintronik malzeme olarak ilgi çekmektedir. Bu makalede, BiTeI’deki Rashba tipi spin yarılmaların gerinim ile nasıl değiştiği incelenmiştir. Bu amaçla, yoğunluk fonksiyonel teorisi çerçevesinde kristal yapısı optimizasyonları ve bant yapısı hesaplamaları gerçekleştirilmiştir. Bu hesaplamaların sonuçları, BiTeI’deki Rashba tipi spin yarılmasının gerinim ile kontrol edilebileceğini göstermektedir. Bu, BiTeI kristalinde gerinimin spin-yörünge etkileşimini arttırdığı (kristal sıkıştırıldığında) ya da azalttığı (kristal genleştiğinde) bulgusu ile açıklanmıştır.
Keywords : Spintronik yarıiletkenler, BiTeI, Rashba tipi spin yarılması, Spin yörünge etkileşimi, İlk prensip hesaplamalar