The Electrical Properties of Fabricated Pentacene Based Phototransistor with Polystyrene Gate Insulator

Bu çalışmada, polistren kapı dielektrikli üst kontak pentasen tabanlı fototransistör imalatı yapılmıştır. Polistren yalıtkanının ve pentasen aktif tabakanın yüzey morfolojisini analiz etmek için, taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılmıştır. Pentasen bazlı fototransistörlerin elektriksel karakterizasyonu ve aydınlatmanın çıkış karakteristikleri üzerindeki etkisi araştırılmıştır. Transistörden elde edilen mobilite değeri ve on/off oranı sırasıyla 5×10-3 cm2/V ve ~ 102'dir. Akaç akımının artan aydınlatma yoğunluğuyla birlikte artması, ışığın ek bir terminal olarak görev yaptığını gösterir. Ayrıca, imal edilmiş bu transistör, aydınlatmaya tepki vermesi nedeniyle bir fototransistör olarak görev görür.