Termal buharlaştırma yöntemi ile üretilen n-ZnO/p-Si heteroeklem kontakların elektriksel ve optiksel karakterizasyonu

Authors : Abdullah ÖZKARTAL

Pages : 902-910

Doi:10.17798/bitlisfen.956341

View : 15 | Download : 12

Publication Date : 2021-09-17

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, n-ZnO ince filmi p-Si yarıiletkeni ve mikroskop camı üzerinde termal buharlaştırma yöntemi ile üretilmiştir. n-ZnO ince filmler, UV-Vis spektroskopisi, X-ışını kırınımı (XRD) ve enerji dağılımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) ile incelenmiştir. n-ZnO/p-Si diyotların elektriksel özellikleri karanlıkta ve oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Üretilen numunelerin idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnci (Rs), I-V ve C-V ölçümlerinden ve Cheung fonksiyonlarından hesaplanmıştır. Ayrıca n-ZnO/p-Si diyotların optiksel özellikleri 100 mW/cm2 ve AM 1.5 aydınlatma altında incelenmiştir.
Keywords : Fotodiyot, n ZnO p Si heteroeklem, ZnO ince film, termal buharlıştırma