Photovoltaic and Electrical Properties of Al/ Ruthenium (II)-complex / p-Si Photodiode

Authors : Hülya DOĞAN, İkram ORAK, Nezir YILDIRIM

Pages : 329-341

Doi:10.17776/cumuscij.297189

View : 38 | Download : 12

Publication Date : 2017-04-24

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışma, p-Si kristali üzerine tris (2,2’-bipyridine) Ruthenium(II)-complex ince filmin döndürme kaplama yöntemi ile (Al/Ru(II)/p-Si) yapısının oluşturulması ile ilgilidir.  Karakteristik parametreler oda sıcaklığında karanlık ve aydınlatma durumundaki akım-gerilim (I-V) eğrilerinden belirlendi. İlk olarak organik ince filmin optiksel özellikleri,  soğurma spektrumu kullanılarak, bant aralığı 2.74 eV olarak bulundu. Ondan sonra Al/Ru(II)/p-Si fotodiyotunun, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φ b I-V ), difüzyon potansiyeli, engel yüksekliği (Φ b C-V ) ve taşıyıcı konsantrasyonu (N a ) gibi elektriksel parametreler, oda sıcaklığında (I-V) ve (C-V) ölçümlerinden hesaplandı. Her iki engel yüksekliği değeri birbirleri ile karşılaştırıldı. Cheung metodu kullanılarak karanlık ve 100 mW/cm 2 aydınlatma durumu altında seri direnç (R s ), engel yüksekliği ve idealite faktörü belirlendi. Devrenin fotovoltaik parametreleri aydınlatma durumunda incelendi. Al/Ru(II)/p-Si için açık devre voltajı ve kısa devre akımı sırasıyla 439.9 x 10 -3 V ve 36.6 x 10 -6 A olarak bulundu. Ruthenium (II) complex, fotovoltaik performansı pozitif olarak etkilemiştir. Bu sonuçlar Al/Ru(II)/p-Si yapısının fotovoltaik ve fotodedektör uygulamalarında bir fotodiyot olarak kullanılabileceğini ortaya çıkarmıştır.
Keywords : Ruthenium II complex, fotodiyot, elektriksel karakteristiklere aydınlatma etkisi, seri ve şönt direnci

ORIGINAL ARTICLE URL