Atmalı DC saçtırma ile hazırlanan Cr/n-Si Schottky engel diyotunun seri direnç ve arayüzey durum yoğunluğu özellikleri

Atmalı DC saçtırma yöntemi ile bir Cr/n–Si Schottky engel diyotu elde edildi. Diyota ait idealite faktörü,engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel parametreler Cheung ve Norde tarafından önerilen fonksiyonlarla belirlendi. Diyotun 1,07 idealite faktörü ve 0,60 eV engel yüksekliğine sahip olduğu görüldü.Diyotun arayüzey durum yoğunluk dağılımı akım–gerilim I–V verileri kullanılarak hesaplandı. Ayrıca,diyotun kapasite–gerilim C–V ve kapasite–frekans C–f özellikleri analiz edildi