ANTİMON KATKILI TiO2/n-Si METAL-YALITKAN-YARIİLETKEN DİYODUN ELEKTRİKSEL PARAMETRELERİNİN FARKLI YÖNTEMLERLE BELİRLENMESİ

Authors : Savaş SÖNMEZOĞLU, Seçkin AKIN

Pages : 25-38

View : 47 | Download : 14

Publication Date : 2011-12-15

Article Type : Research Paper

Abstract :Metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) diyotların, I - V karakteristikleri yardımıyla elde edilen parametreleri elektronik tasarımlarda önemli yer tutmaktadır. Çığ gibi büyüyen elektronik sanayisinde, değişik yöntemlerle malzeme parametrelerinin her geçen gün iyileştirilmesi ve çeşitliliğinin artması, malzemelerin karakterizasyonlarından yapılan parametre hesaplamalarında yeni metotlar bulunmasının yolunu açmıştır. Bu çalışmada, antimon katkılı TiO 2 /n-Si MIS diyot oluşturulmuş ve yapının idealite faktörü ( n ), engel yüksekliği ( )ve seri direnç değeri ( R s ) gibi temel elektriksel parametreleri ileri beslem I - V , Cheung fonksiyonları, Norde metodu, Bohlin metodu, Hernandez metodu ve Chattopadhyay metodu gibi farklı metotlarla hesaplanmıştır. Tüm yöntemlerden elde edilen engel yüksekliği değerlerinde iyi bir uyum gözlenirken, idealite faktörü ve seri direnç değerlerinin sırasıyla  2.74-3.42 ile 94 - 4118 arasında değiştiği gözlenmiştir.
Keywords : Sb katkılı TiO2 n Si MIS yapı, I V karakteristiği, Bohlin metodu, Hernandez metodu, Chattopadhyay metodu

ORIGINAL ARTICLE URL