GaSe:In İKİLİ BİLEŞİĞİNİN MODİFİYE BRIDGMAN/STOCKBARGER TEKNİĞİYLE BÜYÜTÜLMESİ VE YÜZEY MORFOLOJİSİ

Authors : Bekir Gürbulak, Mehmet Şata, Songül Duman, Salih Zeki Erzenoğlu, Afsoun ASHKHASI, Yasin Öztırpan, Burcu Akça

Pages : 65-76

View : 22 | Download : 15

Publication Date : 2016-01-15

Article Type : Research Paper

Abstract :Nano teknolojinin ilerlemesinde yarıiletkenlerin önemi giderek artmaktadır. Ancak, kullanılacak yarıiletkenlerin hem kolay elde edilebilir hem de uygulama alanının geniş olması daha da önem arz etmektedir. Bu maksatla, uygulama alanları çok olan ve karakteristikleri tam olarak belirlenen yarıiletkenlere ihtiyaç duyulmaktadır. Güneş enerjisinin depolanması ve kullanılmasında çalışılan başlıca malzemeler arasında yarıiletkenler yer almaktadır. Sunumun temel konusu, GaSe:In yarıiletken bileşiğini Bridgman/Stockbarger Metoduyla büyütmek, büyütülen GaSe:In yarıiletkenin yapısal özelliklerini incelemektir. GaSe:In yarıiletken bileşiği, Bridgman/Stockbarger metodu ile büyütülmüştür. Numunelerin, yapısal ve morfolojik karakterizasyonları X-ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve enerji ayrımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) teknikleri kullanılarak gerçekleştirilmiştir. XRD sonuçları, büyütülen numunelerin hekzagonal kristal yapıya sahip olduklarını ve In katkılamanın pik şiddetlerini arttırdığını gösterdi. XRD sonuçları kullanılarak, örgü  parametreleri GaSe:In için a=b=3,749 (Å), c=15,944 (Å) olarak hesaplanmıştır. XRD sonuçlarından (004), kristal büyüklüğü (3,986 Å ), zorlanma derecesi (6,55x10 -4 lin -2 m -4 ) and dislokasyon yoğunluğu (4,8830x10 14 lin m -2 ) and birim alan başına kristal sayısı ( 3,23x10 17 m -2 ) değerleri hesaplanmıştır. SEM sonuçlarından, ortalama tanecik büyüklüğünün GaSe:In için 41,746-89,365 nm aralığında olduğu gözlenmiştir.
Keywords : GaSe In, Kristal Büyütme, XRD, SEM, EDX