InSe ve InSe:Zn YARIİLETKENLERİN BRIDGMAN/STOCKBARGER TEKNİĞİYLE BÜYÜTÜLMESİ ve YAPISAL KARAKTERİZASYONU

Authors : Bekir Gürbulak, Songül Duman, Salih Zeki Erzenoğlu, Mehmet Şata, Afsoun ASHKHASİ, Mutlu Kundakçı, Muhammet Aksoy, Muhammet Yıldırım

Pages : 77-94

View : 22 | Download : 11

Publication Date : 2016-01-15

Article Type : Research Paper

Abstract :  Dünya nüfusunun hızla artması, petrol rezervlerinin gün geçtikçe azalması ve iklim değişikliklerinden dolayı, çevre dostu enerji kaynaklarının belirlenmesi öncelikli konulardan birisi olarak ortaya çıkmaktadır. Bu maksatla, uygulama alanlarının çok olduğu ve karakteristiklerinin tam olarak belirlendiği yarıiletkenlere ihtiyaç duyulmaktadır. A III B VI yarıiletken kristallerin büyütülmesi ve araştırılmasıyla yarıiletken teknolojisinde büyük ilerlemeler sağlanmıştır. Elde edilen bütün sonuçlar analiz edilerek nano ve optoelektronik teknolojisi için önemli olan bu kristallerin karakteristikleri detaylı olarak araştırılmıştır. InSe ve InSe:Zn ikili yarıiletken bileşikleri, bölümümüz kristal büyütme laboratuvarında, Bridgman-Stockbarger metodu ile büyütülmüştür. Numunelerin, yapısal ve morfolojik karakterizasyonları X-ışını kırınımı (XRD), taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve Enerji ayrımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) teknikleri kullanılarak gerçekleştirilmiştir. XRD sonuçları, büyütülen numunelerin hekzagonal kristal yapıya sahip olduklarını ve Zn katkılamanın pik şiddetlerini artırdığını göstermiştir. XRD sonuçları kullanılarak, örgü  parametreleri InSe için a =b= 4.002 Å, c = 17.160 Å ve InSe:Zn (0012) için ise a=b=5.845 Å ve c=16,788 Å olarak hesaplanmıştır. SEM sonuçlarından, ortalama tanecik büyüklüğünün sırasıyla, InSe için 42-155 nm ve InSe:Zn için 50-125 nm aralığında olduğu bulunmuştur. EDX sonuçları, In ve Se elementlerinin ağırlıkça %57.04 ve %38.46 olarak yapıda yer aldığını göstermiştir. 
Keywords : InSe, InSe Zn, Brigdman Stockbarger Tekniği, XRD, SEM, EDX