Mo/n-Si Schottky Diyotların Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Karakteristiklerinin Analizi

Authors : Çiğdem Şükriye GÜÇLÜ, Ahmet Faruk ÖZDEMİR, Durmuş Ali ALDEMİR

Pages : 2142-2155

Doi:10.29130/dubited.544197

View : 15 | Download : 8

Publication Date : 2019-07-31

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada Mo/n-Si Schottky diyotların bazı elektriksel özellikleri incelendi. Diyotlar, Molibdenin (Mo) n-tipi Silisyum (Si) üzerine manyetik saçtırma yöntemi kullanılarak biriktirilmesiyle üretildi. Akım-voltaj (I-V) ve kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında alındı. İdealite faktörü (n=1,48), sıfır beslem engel yüksekliği (  b0=0,72 eV), seri direnç (Rs=2,02 k) gibi temel diyot parametreleri I-V verileri kullanılarak elde edildi. Ayrıca engel yüksekliği ve katkılama yoğunluğu (ND) değerleri 1kHz-3MHz frekans aralığında C-V ölçümlerinden belirlendi. I-V ve C-V ölçümlerinden elde edilen  b değerleri karşılaştırıldı. Her iki yöntemden elde edilen engel yüksekliği değerlerinin farklılığı, engel yüksekliğinin homojen olmayışı olgusuna ve geleneksel I-V ve C-V yöntemlerinin farklı tabiatına atfedildi. 
Keywords : Schottky diyot, İdealite faktörü, Engel yüksekliği, Seri direnç