Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi

Authors : Engin YAĞLIOĞLU, Özge Tüzün ÖZMEN

Pages : 227-234

View : 15 | Download : 8

Publication Date : 2014-09-05

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında 1kHz-1MHz frekans aralığında incelenmiştir. Deneysel sonuçlara göre kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı tespit edilmiştir. Ayrıca, difüzyon potansiyeli (VD), donör taşıyıcı yoğunluğu (ND), Fermi enerjisi (EF), tüketim tabakasının genişliği (WD) maksimum elektrik alan (Em), potansiyel bariyer yüksekliği (ΦB), Schottky engel alçalması (ΔΦB) gibi elektriksel parametreler frekansa bağlı C-V ölçümlerinin analizinden elde edilmiştir. Bu çalışmanın sonucunda, C-V analizinden elde edilen Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun temel elektriksel parametreleri, Au/n-Si (MY) Schottky bariyer diyotunkiler ile kıyaslandığında P3HT:PCBM arayüzey organik tabaka sayesinde geliştirilmiştir.
Keywords : Schottky bariyer diyot, Organik yarıiletken, Kapasitans voltaj C V karakteristikleri