Conductance and Density of Interface State Characteristics of Mn Doped CdO Photodiodes

Authors : Mümin Mehmet KOÇ

Pages : 925-939

Doi:10.29130/dubited.641738

View : 15 | Download : 7

Publication Date : 2020-01-31

Article Type : Research Paper

Abstract :İnce film üretiminde kullanılan CdO ve Mn katkılı CdO çözeltiler Sol-gel yöntemi kullanılarak üretildi. Katkısız, %0.2 Mn katkılı, %6 Mn katkılı ve %10 Mn katkılı CdO çözeltileri spin kaplama yöntemi kullanılarak silisyum tabakalar üzerine fotofiyot üretim amacı ile kaplandı. İletkenlik – voltaj (G - V) ölçümleri gerçekleştirildi. Mn katkılamanın CdO fotodiyotların iletkenlik özelliklerini iyileştirdiği görüldü. Artan AC sinyal frekansı ile iletkenlik karakteristiğinin de artış gösterdiği tespit edildi. Düzeltilmiş iletkenlik – voltaj (G adj – V) grafikleri,  iletkenlik – voltaj grafikleri kullanılarak elde edildi. Artan AC sinyal frekansı ile düzeltilmiş iletkenlik değerinin de artış gösterdiği anlaşıldı. Düzeltilmiş iletkenlik – voltaj ve iletkenlik – voltaj grafikleri kullanılarak arayüz durum yoğunluğu değerleri elde edildi. Üretilen farklı fotodiyotlar için farklı arayüz durum yoğunluğu değerleri var olduğu anlaşıldı. Arayüz durum yoğunluğu değerlerinin Mn katkılaması ile arttığı keşfedildi. 
Keywords : CdO İnce Filmler, Mn Katkılama, Fotodiyotlar, G V, Gadj V, Arayüz Durum Yoğunluğu