Conductance and Density of Interface State Characteristics of Mn Doped CdO Photodiodes

İnce film üretiminde kullanılan CdO ve Mn katkılı CdO çözeltiler Sol-gel yöntemi kullanılarak üretildi. Katkısız, %0.2 Mn katkılı, %6 Mn katkılı ve %10 Mn katkılı CdO çözeltileri spin kaplama yöntemi kullanılarak silisyum tabakalar üzerine fotofiyot üretim amacı ile kaplandı. İletkenlik – voltaj (G - V) ölçümleri gerçekleştirildi. Mn katkılamanın CdO fotodiyotların iletkenlik özelliklerini iyileştirdiği görüldü. Artan AC sinyal frekansı ile iletkenlik karakteristiğinin de artış gösterdiği tespit edildi. Düzeltilmiş iletkenlik – voltaj (G adj – V) grafikleri,  iletkenlik – voltaj grafikleri kullanılarak elde edildi. Artan AC sinyal frekansı ile düzeltilmiş iletkenlik değerinin de artış gösterdiği anlaşıldı. Düzeltilmiş iletkenlik – voltaj ve iletkenlik – voltaj grafikleri kullanılarak arayüz durum yoğunluğu değerleri elde edildi. Üretilen farklı fotodiyotlar için farklı arayüz durum yoğunluğu değerleri var olduğu anlaşıldı. Arayüz durum yoğunluğu değerlerinin Mn katkılaması ile arttığı keşfedildi.