Kapasitans‐Voltaj (C‐V) Yöntemiyle Sb Katkılı TiO2 / n‐Si MIS Yapının Seri Direnç Parametresinin Hesaplanması

Authors : Savaş SÖNMEZOĞLU, Seçkin AKIN

Pages : 1-8

View : 22 | Download : 8

Publication Date : 2011-04-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, Sb katkılı TiO2/n‐Si MIS diyotun seri direnç ve engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametreleri I‐V ve C‐V karakteristikleri yardımıyla hesaplanmış  ve analiz edilmiştir. I‐V karakteristiklerinden elde edilen idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri sırasıyla, 2.79, 0.68 eV ve 4118 Ω olarak elde edilmiştir. C‐V karakteristiğinden engel yüksekliği ve seri direnç değerleri ise sırasıyla 1.94 eV ve 10.45 Ω olarak elde edilmiştir. C‐V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri ile I‐V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri arasındaki farkın sebepleri arayüzey durumları, seri direnç etkisi ve yalıtkan tabakanın varlığı olabilir. Yalıtkan ara tabakanın büyük olduğu durumlarda C‐V yönteminden elde edilen seri direnç ve engel yüksekliği gibi parametreler I‐V yönteminden daha doğru ve güvenilir sonuçlar vermektedir.
Keywords : C‐V karakteristiği,  I‐V karakteristiği,  Seri direnç,  Engel yüksekliği, Arayüzey durumları