(MYY) Schottky Diyotlarda Akım-Voltaj Karakteristikleri Üzerine Seri Direnç ve Arayüzey Durumlarının Etkisi

Metal-Yalıtkan-Yarıiletken (MYY) Al/Si3N4/p-Si Schottky engel diyotlarının akım-voltaj (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ölçüldü. Al/Si3N4/p-Si yapılar elektrokimyasal anodizasyon metodu ile üretilmiştir. p tipi silisyumun yüzeyi nitridasyon işlemiyle pasive edildi. Akım-Voltaj karakteristikleri üzerine arayüzey durum yoğunluğu (Nss) ,arayüzey tabakası ve seri direncin etkileri incelendi. Al/Si3N4/pSi (MIS) Schottky engel diyotlar, Al/p-Si arayüzey tabakasındaki Si3N4 varlığı yüzünden ideal Schottky diyotlar yerine, idealite faktör değerinin 6.17 ve engel yüksekliği değerinin 0.714 eV olmasıyla doğrultucu davranış göstermesi, (MIS) metal- arayüzey tabakası- yarıiletken yapısına uyar. Seri direncin ( Rs) değerleri Cheung’ in metodu kullanılarak tanımlandı. Buna ilave olarak, (Ess-Ev) nin bir fonksiyonu olarak, arayüzey durumlarının yoğunluğu ( Nss), seri direncin hesaba katıldığı ve katılmadığı I-V ölçümlerinden elde edildi. I-V karakteristikleri; Nss dağılımı , Rs ve arayüzey yalıtkan tabakanın, MIS Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerini etkileyen önemli parametreler olduğunu doğrulanmıştır.