Journal article

Düşük Sıcaklıklarda Au/Organometalik Kompleks/n-Si MIS Yapısının Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi

Abstract

Geniş bir sıcaklık aralığında (100-300 K) metal-arayüzey tabaka-yarıiletken (MIS) Schottky diyotunun elektriksel özellikleri akım-gerilimölçümleri ile incelenmiştir.MIS Schottky diyotu, 300 K ve 100 K'de sırasıyla 2.28 ve 4.13'e eşit idealite faktörleri (n) ile birlikte ideal olmayan akım-gerilim davranışı göstermiştir.Diyotun deneysel engel yüksekliği değerleri, 100 K'da 0.32 eV, 300 K'da 0.76 eV olarak belirlenmiştir. Azalan sıcaklıkla birliktedeneysel engel yüksekliğinde (BH,Φ

Keywords

Organometalik kompleksMIS yapıAkım GerilimDüşük sıcaklıkGauss dağılımı

59 views · 14 downloads