MBE CrNiCo/n-GaAs SCHOTTKY DİYOTLARINDA TERMAL TAVLAMANIN ELEKTRİKSEL KARAKTERİSTİKLERE ETKİLERİ

Authors : Ahmet Gümüş

Pages : 97-102

View : 14 | Download : 12

Publication Date : 2006-02-01

Article Type : Other Papers

Abstract :Bu çalışmada, [100] doğrultusunda, oda sıcaklığındaki özdirenci ρ=0.07352 Ω-cm olan Molekuler Beam Epitaksi (MBE) tekniği ile büyütülmüş n-tipi GaAs yarıiletken kristali (400 µm kalınlığında ) kullanıldı. Yarıiletken kristal yaklaşık 5x5mm2 ’lik dilimler halinde kesildi, daha sonra bir yüzüne omik kontak yapmak için AuGe alaşımı, diğer yüzüne de doğrultucu kontak yapmak için CrNiCo alaşımı 10-5 tor basınç altında buharlaştırıldı. Böylece AuGe/MBE n-GaAs/CrNiCo Shottky Diyot yapıları oluşturuldu. Bu yapılar azot atmosferi altında 50 o C’lik basamaklarla 200 o C’den 650 o C’ye kadar tavlandı. Her bir tavlama sıcaklığı için I-V (akım-gerilim) karakteristikleri ölçüldü ve elde edilen karakteristik I-V eğrilerinden doyma akımı, engel yüksekliği ve idealite faktörü gibi parametreler üzerine termal tavlamanın etkileri araştırıldı.
Keywords : Schottky diyod, Metal yarıiletken kontaklar, Termiyonik emisyon, Alan emisyonu