Cu/n-InP/In Schottky Diyotların Sıcaklığa Bağlı Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Ölçümlerinden Elde Edilen Karakteristik Parametrelerinin İncelenmesi

Authors : Fulya Esra CİMİLLİ ÇATIR

Pages : 381-393

Doi:10.18185/erzifbed.376279

View : 16 | Download : 9

Publication Date : 2018-12-30

Article Type : Research Paper

Abstract :Schottky engel diyotları n-tipi InP (100) yarıiletkeni kullanılarak elde edildi. Ohmik kontaklar In metali buharlaştırıldıktan sonra 320 o C’de ve N 2 ortamında tavlanarak yapıldı. Schottky kontakları 0,5 mm çapında ve yarıiletkenin ön yüzünde imal edildi. I–V karakteristikleri 20K ve 300K sıcaklık aralığında sıcaklığın bir fonksiyonu olarak ölçüldü. Deneysel I–V karakteristiklerinin Cu/n-tipi Inp Schottky diyotları için geleneksel Termiyonik Emisyon (TE) teorisi ile uyum içerisinde olduğu gözlemlendi. Cu/n-tipi InP Schottky diyotlarının kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri 300-10 K sıcaklık aralığında ve 10K adımlarla 1 MHz frekansta alındı. Numune sıcaklığına bağlı olarak diyotlarımızın elektriksel karakterizasyonunda değişikliklerin olduğu tespit edildi. Cu/n-InP/In Schottky kontakların sıcaklığa bağlı engel karakteristiklerinin “engel inhomojenliği modeline” uyduğu belirlendi. 20-150 K ve 150-300 K sıcaklık aralığında Schottky diyotlara iki farklı ortalama engel yüksekliğinin eşlik etmesi engel yüksekliğinin çift Gaussian modeli ile uyum içerisindedir. Ayrıca sıcaklığa bağlı I-V ve C-V karakteristiklerinden seri direnç, taşıyıcı konsantrasyonu, difüzyon potansiyeli ve Fermi enerjisi gibi parametreleri de hesaplandı.  
Keywords : Çift Gaussian Modeli, İdealite Faktörü, İnhomojen Engel Yüksekliği, Schottky Diyot, Seri Direnç