Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine

Değişik yüzey alanlarına sahip beş (5) adet Pd/n-GaP diyot üretildi. Diyotlar farklı ışık akı değerlerinde kar be-yazı floresans lambayla aydınlatıldı. Schottky diyotlara ait elektriksel veri değerleri toplandı, bu veriler kullanı-larak parametreler hesaplandı. Işık altında Schottky diyotlara ait Schottky sığaları elde edildi. Schottky sığası-nın ışık akısına ve diyotun etkin yüzey alanına göre kayda değer şekilde değiştiği görüldü.