GLAD Tekniği ile Büyütülen Zig-Zag Nano Şekilli a-Si/c-Si Heteroeklemlerin Elektriksel ve Fotovoltaik Özelliklerinin İncelenmesi

Authors : Beyhan Tatar

Pages : 11-17

View : 30 | Download : 8

Publication Date : 2017-03-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Zig-zag nano şekilli a-Si ince filmler c-Si altlıklar üzerine elektron demeti buharlaştırma sistemi içerisinde GLAD tekniği kullanılarak hazırlanmıştır. Zig-zag nano şekilli ince filmlerin yapısal özellikleri X-ışınları difraksiyonu (XRD) analizi ve Raman spektroskopi analizi ile belirlendi. Büyütülen Zig-zag nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin yüzey ve arakesit morfolojileri Alan Emisyonlu Taramalı Elektron Mikroskobu (FE-SEM) ile incelendi. Bu heteroeklemlerin elektrik ve fotovoltaik özellikleri dc akım-gerilim (I-V) ölçümleri yardımıyla oda sıcaklığında karanlık ve aydınlık şartlarda incelendi. Bariyer yüksekliği ΦB, ideallik faktörü ɳ, seri direnç Rs ve şhunt direnci Rsh gibi Zig-zag nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin karanlık şartlardaki elektriksel parametreleri I-V karakteristiklerinden belirlendi ve sırasıyla 0,83 eV, 3,59, 14,3 kΩ ve 0,65 MΩ olarak bulundu. Zig-zag nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemler iyi bir fotovolataik davranış göstermiştir ve açık devre gerilimi ve kısa devre akımı gibi fotovoltaik parametreleri sırasıyla Voc=232 mV ve Jsc=22 mA/cm2 olarak elde edilmiştir. Bu Zig-Zag nano yapının boşluklu yüzey morfolojisi güneş pili teknolojileri ve fotovoltaik aygıtlar için önemli bir özelliktir.
Keywords : Şekilli ince filmler, Zig Zag nano şekilli ince film, GLAD tekniği, Heteroeklemler, Elektriksel ve Fotovoltaik özellikler

ORIGINAL ARTICLE URL