AlGaN/GaN tabanlı yüksek elektron hareketli transistörlerin SiC, Si ve Safir alt tabakalardaki ısıl davranışının sayısal olarak incelenmesi

Authors : Didem Cansu İlhan, Şenol Başkaya

Pages : 2125-2134

Doi:10.17341/gazimmfd.540941

View : 25 | Download : 11

Publication Date : 2020-07-21

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada AlGaN/GaN yüksek elektron hareketli transistörlerin (High Electron Mobility Transistor, HEMT) SiC, Si ve Safir alt tabakalardaki ısıl analizi sunulmuştur. Kanal sıcaklığı ve sıcaklık dağılımı kararlı ve kararsız rejim durumları için 3 boyutlu sonlu elemanlar modeli kullanılarak belirlenmiştir. Alınan simülasyon sonuçları literatürdeki deneysel çalışma sonuçlarıyla uyum içindedir. GaN tabanlı cihazın en iyi ısıl performansını sağlayacak parametre aralıklarını bulmak için alt tabaka kalınlığı, kanal uzunluğu, kanal genişliği, güç atımı ve darbe genişliği gibi parametrelerin performans üzerine etkileri incelenmiştir. Farklı alt tabakalar için ısıl direnç değerleri hesaplanmıştır. Bunlara ek olarak, mikrometre altı darbe genişliği için kararsız rejimde ısıl performans incelenmiş ve alt tabaka için malzeme performansı karşılaştırılmıştır.  Bu çalışmanın sonuçlarıyla ısıl direnç düşürülüp, güvenilirlik ve cihaz ömrü arttırılarak AlGaN/GaN tabanlı yüksek elektron hareketli transistörlerin gelişimine katkı sağlanabilir.
Keywords : yüksek elektron hareketli transistörler, sayısal analiz, güvenilirlik, AlGaN GaN, ısıl direnç