InSe ve InSe:Sn Yarıiletkenlerinde Farklı Tavlama Sıcaklıkları ve Süreleri için Lineer Soğurma Katsayılarının Belirlenmesi

Bu çalışmada Bridgman/Stockbarger metodu ile büyütülmüş InSe ve InSe:Sn yarıiletken kristallerinin farklı tavlama sıcaklıkları ve zamanları için lineer soğurma katsayıları incelenmiştir. Yarıiletkenlerden geçirilen 241 Am’in gamma ışınları yüksek çözünürlüklü Si(Li) detektör tarafında detekte edilmiştir ve Enerji ayırımlı X-ışını Floresan Spektrometresi (EDXRFS) kullanılmıştır. InSe ve InSe:Sn yarıiletken kristallerinin lineer soğurma katsayılarının, tavlama süresi ve sıcaklığının artışıyla genelde arttığı gözlenmiştir.