Dielectric Characterization of Si-Based Heterojunction with TiO2 Interfacial Layer

Home Page
About
Submit A Journal
Submit A Conference
Submit Paper/Book
- Submit a Preprint
- Submit a Book
Contact

Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
Volume:8 Issue:3
Dielectric Characterization of Si-Based Heterojunction with TiO2 Interfacial Layer

Dielectric Characterization of Si-Based Heterojunction with TiO2 Interfacial Layer

Authors : Abdulkerim KARABULUT

Pages : 119-129

View : 44 | Download : 6

Publication Date : 2018-09-30

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, Al/TiO2/p-Si/Al heteroeklemi üretildi ve bazı elektrik ve dielektrik karakteristikleri araştırıldı. TiO2 arayüzey katmanının sentezlenmesi için yüzey düzgünlüğü ve kararlılığı gibi sahip olduğu bazı avantajlardan dolayı atomik katman kaplama tekniği kullanıldı. Elektriksel ve dielektrik karakteristiklerinin belirlenmesi için, oda sıcaklığında, -1 ile +1 V beslem voltajı ve 10 kHz-1MHz frekans değerleri aralıklarında empedans spektroskopisi ölçümleri yapılmıştır. Elektriksel parametreler olarak arayüzey halleri dağılımı ve seri direnç değerleri belirlenmiştir. Bunlara ek olarak, dielektrik kaybı ve katsayısı, elektriksel modülün gerçek ve imajiner kısmı ve AC elektrik iletkenliği gibi dielektrik parametrelerin frekansa ve voltaja güçlü bir şekilde bağlı olduğu bulunmuştur. Elektrik ve dilelektrik karakteristikler üretilen aygıtın arayüzey halleri ve polarizasyon değerlerinin düşük frekanslarda AC sinyalini takip edebildiğini göstermektedir.
Keywords : Dielektrik özellikler, TiO2, MIS yapı, atomik katman kaplama ALD, atomik katman kaplama ALD

ORIGINAL ARTICLE URL

* There may have been changes in the journal, article,conference, book, preprint etc. informations. Therefore, it would be appropriate to follow the information on the official page of the source. The information here is shared for informational purposes. IAD is not responsible for incorrect or missing information.