Two Dimensional Modeling of Au/n-GaN Schottky Device

Akım-voltaj karakteristikleri yanal homojensizliklerden güçlü bir şekilde etkilenir. Au/n-GaN Schottky aygıtı için iki boyutlu (2B) simülasyon modeli geliştirdik. Önceki çalışmalarda aygıtın sıfır voltluk gerilim altındaki engel yüksekliğindeki homojensizliğinin genellikle Gaussian dağılıma uyduğu varsayılmaktadır. Bu çalışmada, sıfır voltluk gerilim altındaki engel yüksekliğindeki homojensizliğin rastgele dağıldığı kabul edilmiştir. Modellenen aygıt yapısı sütunsu grainlere ve grainler arasında boşluklara sahiptir. Yapı mikro hücrelere ayrılmıştır ve her mikro hücre tek bir diyot olarak düşünülmüştür. Tüm mikro hücreler birbirlerine paralel bağlanmıştır. Mikro hücrelerin yüzey alanlarının kare ve daire olduğu varsayılmıştır. Bu çalışmada, mikro hücrelerin sıfır voltluk gerilim altındaki engel yüksekliğindeki homojensizliğinin ve yüzey alanlarının akım-voltaj karakteristikleri ve arayüzey durum yoğunluğuna etkileri incelenmiştir.