Ti/ p-GaN Schottky Diyotunun Elektriksel Parametrelerinin İncelenmesi

Ti/p-GaN Schottky diyotunun elektriksel özellikleri araştırıldı. İdealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnç (Rs) gibi temel diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) karakteristiği özelliklerinden faydalanarak geleneksel I-V yöntemi, Cheung fonksiyonları ve Norde yöntemi ile incelendi. İdealite faktörü (n) I-V yönteminde 1.62 ve Cheung fonksiyonlarından 3.54 olarak hesaplandı. Farklı yöntemlerden hesaplanan engel yüksekliği (Фb) değerlerinin birbirine yakın değerlerde olduğu bulundu. Ti / p-GaN Schottky diyotunun hesaplanan seri direnç (Rs) değerleri de kohm mertebesinde olduğu görüldü. Ti/p-GaN Schottky diyotunun arayüzey durum yoğunluğunun büyüklüğü 6.35 × 1012 cm−2 eV−1 ile 3.48 × 1013 cm−2 eV−1 arasında değiştiği belirlendi.