Ag/Aniline blue/n-Si Type Schottky Diode with Organic Dye Interlayers Investigation of Electrical and Photovoltaic Properties

Authors : Bahdisen GEZER, Can GEZER

Pages : 55-62

View : 17 | Download : 13

Publication Date : 2020-08-22

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, parlatılmış kısım n-Si yarı iletken, 3x1017 /cm donör konsantrasyonu ile birlikte, 200 μm kalınlık kullanılmıştır. Uygun kimyasal temizlemeden sonra, yarı iletken kristalin alt yüzüne bir Al ohm teması yapıldı. Anilin mavisi boyası, üst tarafta metanol ve aseton çözeltisi ile kaplandıktan sonra, organik katmanın alt yüzeyi temas ettirildi. Üretilen Ag/Anilin mavisi/n-Si/Al Schottky diyotunun elektriksel ve arayüzey özellikleri, karanlık ve aydınlıkta oda sıcaklığında akım-voltaj (IV) ölçümü ve 100- frekans aralığında kapasitans (CV) ve iletkenlik 100 kHz'lik adımlarla 900 kHz -Gerilim (GV) özellikleri incelenmiştir. Bariyer yüksekliği (ɸB) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler, düz besleme I-V verileri kullanılarak değiştirilmiş Norde fonksiyonu ve Cheung fonksiyonlarından elde edildi. Diyotun arayüz durum yoğunluğu (Nss) da hesaplandı. Ayrıca I-V ölçümleri sonucunda elde edilen veriler, diyotun iyi bir doğrultma özelliğine sahiptir.
Keywords : n type Si, Aniline blue, Schottky diode, Al, Ag