Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması

Authors : Serkan EYMUR, Nihat TUĞLUOĞLU

Pages : 230-242

Doi:10.31466/kfbd.711892

View : 16 | Download : 12

Publication Date : 2020-06-15

Article Type : Research Paper

Abstract :İndiyum (In) omik kontaklı n-Si yarıiletkeni üzerinde döndürme kaplama yöntemi ile bakır ftalosiyanin (CuPc) organik ince film biriktirilmiştir. Doğrultucu kontak oluşturmak için altın (Au) metali ısısal buharlaştırma tekniği yardımı ile oluşturulmuştur. Sonuçta Au/CuPc/n-Si/In Schottky diyot yapısı üretilmiştir. İdealite faktörü, Schottky engel yüksekliği, doyma akımı, seri direnç ve şönt direnci gibi diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) ölçümleri yardımıyla araştırılmıştır. Au ve n-Si arasında biriktirilen CuPc ince filmi iyi bir doğrultma özelliği göstermiştir. Bu analizde, Schottky engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri oda sıcaklığında sırasıyla 0.757 eV ve 2.49 olarak belirlenmiştir. Sonuçlar, üretilen diyodun çeşitli optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceğini göstermektedir.
Keywords : Bakır ftalosiyanin, Schottky engel diyot, akım gerilim, engel yüksekliği, idealite faktörü