Investigation Of Some Optical And Electrical Properties Of InSe Thin Film, a Window Layer for Photovoltaic Cell Growth on Glass/GaSe Substrate by M-CBD Method

Authors : Fatih ÜNAL

Pages : 297-306

Doi:10.31466/kfbd.930609

View : 17 | Download : 12

Publication Date : 2021-06-15

Article Type : Research Paper

Abstract :InSe ince filmi başarılı bir şekilde cam/GaSe alt tabanı üzerine modifiye edilmiş kimyasal banyo depolama (M-CBD) yöntemiyle büyütülmüştür ve üretilen filmlerin bir gurubu atmosfer ortamında bir saat 80 °C’de tavlanmıştır. Üretilen ve tavlanan filmlerin enerji band aralıkları sırasıyla 1,89 eV, 1,15 eV olarak belirlenmiştir. Üretilen ve tavlanan filmlerin 400-700 nm’de yüzde geçirgenlik değerleri sırasıyla %0.65, %4.46 ve %11,02, %10,35 olduğu görülmüştür. Farklı sıcaklıklarda ölçülen I-V krakterizasyonlarında sıcaklığın artmasıyla özdirencin azaldığı, iletkenliğin arttığı görülmüştür. Düşük sıcaklık bölgesinde aktivasyon enerjisi 0,05 eV iken, yüksek sıcaklık bölgesinde 0,6 eV olduğu gözlemlenmiştir.
Keywords : InSe, GaSe, M CBD, İnce film