Ag/pentasen/Cu MIM Yapısının Optoelektronik Özelliklerinin İncelenmesi

Authors : Fatih Ünal

Pages : 1798-1806

Doi:10.31466/kfbd.1336879

View : 47 | Download : 55

Publication Date : 2023-12-15

Article Type : Research Paper

Abstract :Ag/pentasen/Cu MIM yapısı (metal-insulator-metal) termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak başarılı bir şekilde üretilmiştir. Üretilen yapının temel I-V karakterizasyonu karanlık ve 20, 40, 60, 80, 100 mW.cm-2 ışık şiddetinde incelenmiştir. MIM yapısının diyot parametreleri; idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ϕb), ters doyma akımı (I0), seri direnç (Rs) ve Shunt direnç (Rsh) değerleri hem karanlık hem de farklı ışık şiddetlerinde belirlenmiştir. Karanlık ortamda sırasıyla n, ϕb, I0, Rs ve Rsh değerleri 7.95, 0.31 eV, 1.95x10-6 A, 3.13x104 Ω ile 3.85 x104 Ω olduğu belirlenmiştir. Ayrıca üretilen MIM yapısının fotodedektör parametreleri; fotoakım (Iph), duyarlılık (R) ve özgül dedektiflik (D*) değerleri de farklı ışık şiddetlerinde incelenmiştir ve maksimum değerlerin sırasıyla 7.85x10-5 A, 6.09x10-3 A.W-1 ve 1.86x107 Jones olduğu belirlenmiştir.
Keywords : Metal insulator metal, MIM, pentasen, optoelektronik