INFRARED DETECTING BEHAVIOURS OF Cu2NiSnS4 PHOTODIODES

Authors : Mustafa İLHAN, Mümin Mehmet KOÇ

Pages : 119-131

Doi:10.34186/klujes.702575

View : 36 | Download : 16

Publication Date : 2020-12-31

Article Type : Research Paper

Abstract :Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al yapıdaki fotodedektörler sol-jel yöntemi kullanılarak üretilmiştir. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılarak fotodedektörler yapısal olarak incelenmiştir. Mikroskopik incelemeler sonucunda Cu2NiSnS4 yapının nanoformda sentezlendiği ve nanoparçacıkların granüler yapıda bir arada bulunduğu gözlemlenmiştir. Akım – zaman ve akım - voltaj gafikleri Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al yapıda üretilmiş olan diyotlarımızın kızılötesini ışığı hisedebilme özellikleri gösterdiğini göstermiştir. Fotodedektör özelliklerini incelemede kullanılan lineer dinamik oran, idalite faktörü, fotohassasiyet, fototepki karasteriklikleri gibi karaktersistik özellikler çalışmamızda detaylıca incelenmiştir. İncelenen fotodiyot karakteristikleri de fotodiyotlarımızın kızılötesi dedektör özellikleri gösterdiğini doğrulamıştır. Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al yapıdaki diyotlarımıza ait bariyer yüksekliği 0.466 eV olarak hesaplanırken idealite faktörü ise 5.16 olarak bulunmuştur. Sonuçlar incelendiğinde Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al yapıda üretilmiş fotodiyotların infrared tarama cihazlarında kullanılmaya uygun olduğu anlaşılmaktadır.
Keywords : Dört Bileşenli Fonksiyonel Fotodedektörler, Kızıl Ötesi Dedektörleri, Fotodiyotlar

ORIGINAL ARTICLE URL