INVESTIGATION OF ELECTRONIC PROPERTIES OF SbSeI UNDER HIGH PRESSURE BY FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS

Authors : Tahsin ÖZER

Pages : 64-72

Doi:10.7240/jeps.717399

View : 16 | Download : 8

Publication Date : 2021-01-30

Article Type : Research Paper

Abstract :SbSeI bileşiğinin 0-200 kBar`lık hidrostatik basınç altında yapısal parametreleri, elektronik yapısı ve yük yoğunluğu dağılımı ilk kez araştırıldı. Tüm hesaplamalar için Quantum Espresso yazılımı insert ignore into journalissuearticles values(QE); kullanıldı. Elektronik bant hesaplamaları, SbSeI bileşiğinin 0-40 kBar basınç aralığında dolaylı ve 80-200 kBar basınç aralığında direkt yasak enerji bant aralığına sahip olduğunu göstermektedir. SbSeI bileşiğinin 40-80 kBar aralığındaki bir basınçta yapısal faz geçişine maruz kaldığı düşünülmektedir.
Keywords : SbSeI, Basınç, Elektronik özellikler, Quantum Espresso