MCBTA AKTİF ELEMANI KULLANILARAK AKIM MODLU DİKGEN SİNÜSOİDAL OSİLATÖR DEVRESİ TASARIMI

Authors : Umut Engin AYTEN

Pages : 130-138

View : 18 | Download : 16

Publication Date : 2018-03-29

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, Değiştirilmiş Akım Geriyönlü Geçiş-iletkenliği Kuvvetlendiricisi insert ignore into journalissuearticles values(Modified Current Backward Transconductance Amplifier-MCBTA); aktif elemanı kullanılarak yeni bir akım modlu dikgen sinusoidal osilatör insert ignore into journalissuearticles values(quadrature oscillator); devresi tasarımı gerçekleştirilmiştir.  Önerilen dikgen sinusoidal osilatör devresi iki adet MCBTA, iki adet bir ucu topraklı kapasite elemanı ve bir adet bir ucu topraklı direnç elemanından oluşmaktadır. Önerilen devrenin akım çıkış uçları yüksek çıkış empedansına sahiptir ve ard arda bağlanmaya uygun yapıdadır. Osilasyon şartı bir direnç elemanı ile ve/veya MCBTA aktif elemanının geçiş iletkenliği parametresi insert ignore into journalissuearticles values( g m ); ile kontrol edilebilmektedir.  Önerilen devrenin doğruluğu PSPICE simülasyonları gerçekleştirilerek gösterilmiştir. MCBTA aktif elemanının CMOS gerçeklemesi TSMC 0.25 µm üretim parametreleri için gerçekleştirilmiş ve simülasyon sonuçları elde edilmiştir. 
Keywords : Dikgen Sinüsoidal Osilatör Devresi, Değiştirilmiş Akım Geriyönlü Geçiş iletkenliği Kuvvetlendiricisi, Aktif Devreler, Analog Tümdevreler, Akım Modlu Devreler