Gama-Işınlarına Maruz Bırakılan 4-Metilbenzilamin Glioksim Tek Kristalinin EPR ve Simülasyon Tekniği ile İncelenmesi

Authors : Ülkü AKPINAR, Hüseyin YÜKSEL, Bilge YILDIRIM, Mehmet BİREY

Pages : 397-401

View : 68 | Download : 9

Publication Date : 2005-12-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Gama ışınlarına maruz bırakılan 4-Metil Benzilamin Glioksim insert ignore into journalissuearticles values(4-MBG); tek kristallerinin elektron paramanyetik rezonansı, manyetik alanda kristalin farklı yönelimleri için gözlenmiş ve analiz edilmiştir. 4-MBG tek kristalleri 100 K ve 400 K arasındaki sıcaklıklarda incelenmiştir. g-faktörünün ortalama değeri ve aşırı ince yapı yarılmasının değerleri sırası ile g=1,999, , ve olarak bulunmuştur. Çiftlenmemiş elektronun rNinsert ignore into journalissuearticles values(NH); = 0,5 ve rHinsert ignore into journalissuearticles values(NH); = 0,5 ile sırasıyla azot ve hidrojen üzerinde lokalize olduğunu ölçümler göstermiştir. Çiftlenmemiş elektron ile protonlar ve azotun g değeri ve aşırı ince yapı etkileşme sabitleri EPR ve simülasyon tekniği ile belirlenmiştir.
Keywords : EPR, Spektroskopik Yarılma Faktörü, g, Aşırı İnce Yapı Etkileşme Sabiti, Spin Yoğunluğu,

ORIGINAL ARTICLE URL