Pentacene/n-Si Heteroeklem Aygıtlarının Yapımı ve Karakterizasyonu

Authors : Zakir ÇALDIRAN

Pages : 581-592

Doi:10.21597/jist.453048

View : 42 | Download : 9

Publication Date : 2019-03-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada organik yarıiletken özellik gösteren pentacene malzemesi kullanılarak elde edilen doğrultucu kontakların elektriksel özellikleri incelendi. İlk olarak n-Si bir yüzeyine termal buharlaştırma yöntemi ile Al metali kaplandı ve 450 °C de 10 dakika tavlanarak omik kontak elde edildi. Daha sonra termal buharlaştırma yöntemi ile n-Si yarıiletkeninin diğer yüzeyine Pentacene organik filmi kaplandı. Son olarak elektriksel ölçümler için DC saçtırma yöntemi ile Pentacene üzerine Ni kaplanarak daire şeklinde sekiz farklı kontak elde edildi. Ni/Pentacene/n-Si/Al heteroeklem aygıtlarının oda sıcaklığında ve karanlıkta I-V (Akım Voltaj) ölçümleri yapıldı. TE teorisi kullanılarak yapılan hesaplamalardan elde edilen aygıtların benzer karakteristik özelliklere sahip olduğu görülmüştür. D1 numaralı Ni/Pentacene/n-Si/Al heteroeklem aygıtı 0.83 eV engel yüksekliği ve 1.41 idealite faktörü ile Schottky davranış göstermiştir. Ayrıca Cheung ve Norde fonksiyonları gibi farklı metotlar kullanılarak engel yüksekliği ve idealite faktörü ile beraber D1 numaralı Ni/Pentacene/n-Si/Al heteroeklem aygıtının seri direnç değerleri de (Rs) hesaplanmıştır.
Keywords : Pentacene, heteroeklem aygıt, Schottky diyot, organik yarıiletken

ORIGINAL ARTICLE URL