Işık Altında Elektrodepozisyon Yöntemi ile Üretilmiş GaxOyNz/p-Si Diyot Yapısının Elektriksel Karakterizasyonu

Authors : Özcan BİRGİ

Pages : 2129-2139

Doi:10.21597/jist.1115556

View : 40 | Download : 16

Publication Date : 2022-12-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, GaxOyNz yarıiletken materyal LED grubu aydınlatması altında elektrodepozisyon tekniği kullanılarak p-Si insert ignore into journalissuearticles values(100); üzerine biriktirilmiştir. Galyum Nitrat, Amonyum Nitrat ve deiyonize su karışımı kullanılarak elektrolit çözeltisi hazırlanmıştır. Platin levha ve p-Si sırasıyla anot ve katot olarak kullanılmıştır. GaxOyNz/p-Si aygıt yapısının üretim aşamasından sonra, 20-100 oC aralığında 10 oC adımlarla sıcaklığa bağımlı Akım-Gerilim insert ignore into journalissuearticles values(I-V); ölçümleri alınarak iki boyutlu arayüzey durum yoğunluğu dağılımı analizi yapılmıştır. Yapılan analizler sonucunda GaxOyNz/p-Si aygıt yapısının doğrultucu diyot özelliği sergilediği görülmüştür.
Keywords : GaN, Ga2O3, Elektrodepozisyon, fotoelektrokataliz, galyum bazlı malzemeler, elektriksel karakterizasyon

ORIGINAL ARTICLE URL