Elektron Demet ile Işınlanmış PTCDA Arayüzey Tabakalı Au/PTCDA/n-Si Diyotların Elektriksel Özellikleri

Authors : Umut AYDEMİR

Pages : 393-398

Doi:10.2339/politeknik.417761

View : 24 | Download : 8

Publication Date : 2019-06-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, geleneksel Au/n-Si Schottky Diyotların insert ignore into journalissuearticles values(SDs); aygıt performansının ışınlanmış PTCDA arayüzey tabakası kullanılarak yenilikçi bir yaklaşımla iyileştirilmesi amaçlanmıştır. Bu nedenle ilk olarak PTCDA tozları 30kGy, 60kGy ve 100kGy farklı elektron demet insert ignore into journalissuearticles values(E-Demet); dozlarında ışınlanmıştır ve sonuçlar FTIR yöntemi ile analiz edilmiştir. Işınlanmamış ve ışınlanmış PTCDA tozları n-Si alttaş üzerine organik buharlaştırma sisteminde kaplanmıştır. Farklı dozlarda E-Demet ile ışınlanmış ve ışınlanmamış PTCDA arayüzey tabakalı Au/PTCDA/n-Si SD’ların Akım-Gerilim insert ignore into journalissuearticles values(I-V); karakteristikleri ±3V arasında oda sıcaklığında gerçekleştirilmiştir. Aygıtların idealite faktörüinsert ignore into journalissuearticles values(n);, Schottky engel yüksekliği insert ignore into journalissuearticles values( F Bo );, doğrultma oranı insert ignore into journalissuearticles values(DO);, seri direnç insert ignore into journalissuearticles values(R s ); ve Şönt direnci insert ignore into journalissuearticles values(R sh ); parametreleri I-V sonuçlarından hesaplanarak elde edilmiştir. 30 kGy ışınlanmış PTCDA arayüzey tabakalı Au/PTCDA/n-Si SD aygıt performansının ışınlanmamış PTCDA arayüzey tabakalı Au/PTCDA/n-Si SD’a göre daha iyi olduğu deneysel olarak gözlenmiştir. Au/PTCDA/n-Si SD’un I-V karakteristiklerinin ışınlama ile oldukça etkilendiği ve uygun ışınlama dozu ile aygıt performansının artırılabileceği gözlemlenmiştir.  
Keywords : Au PTCDA n Si, PTCDA arayüzey tabakası, Schottky diyotlar, E Demet ışınlama

ORIGINAL ARTICLE URL